如果您對該產(chǎn)品感興趣的話,可以
產(chǎn)品名稱:
代理AMAYA天谷制作所 單晶圓常壓CVD裝置
產(chǎn)品型號:
A200V
產(chǎn)品展商:
日本AMAYA天谷制作所
折扣價(jià)格:
0.00 元
關(guān)注指數(shù):95
產(chǎn)品文檔:
無相關(guān)文檔
AMAYA株式會社天谷制作所
常壓CVD裝置，準(zhǔn)備了滿足顧客需求的產(chǎn)品陣容。同時(shí)，定做也對應(yīng)。
對應(yīng)于半導(dǎo)體制造用、太陽能電池制造用等各種用途。從少量生產(chǎn)到大量生產(chǎn)
形成SiO2、BPSG、BSG、PSG等各種膜種
采用SiC托盤防止重金屬污染，從低溫（200℃）到中溫（500℃）區(qū)域可以廣泛成膜
代理AMAYA天谷制作所 單晶圓常壓CVD裝置
的詳細(xì)介紹
AMAYA株式會社天谷制作所
采用面朝下法的高性能單晶圓常壓CVD裝置
A200V
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薄膜厚度均勻度在±2%以內(nèi)
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抑制粒子生成
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緊湊的設(shè)備配置
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良好的階躍覆蓋率
特征
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在這種方法中，晶圓沉積表面被上卡盤夾住，晶圓朝向底部，工藝氣體從底部的分散頭吹出形成薄膜。 卡盤提高了晶圓內(nèi)溫度均勻性，并提供出色的厚度均勻性，同時(shí)防止氣體包圍晶圓背面，防止背面沉積并防止顆粒粘附在晶圓上并進(jìn)入腔室。
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設(shè)備尺寸已盡可能緊湊，以*大程度地減少占用空間。
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使用封閉腔室可消除氣體泄漏并提高操作員的**性。
性能
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均勻的薄膜厚度
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≦±2%
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支持的晶圓尺寸
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≦8英寸
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氣體種類
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SiH4， O 2， PH 3， B 2 H6， N 2（TEOS， TEB， TMOP，O 3可選）
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薄膜沉積溫度
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300°C~450°C
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生產(chǎn)力
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20張/小時(shí)（500nm成膜）
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主要規(guī)格
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設(shè)備尺寸
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890毫米（寬） x 2300毫米（深） x 2250毫米（高）
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加熱機(jī)構(gòu)
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電阻加熱
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裝載卸載
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雙滑塊，機(jī)器人CtoC運(yùn)輸
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分散頭（氣體噴嘴）
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圈
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